最低5nm工艺 河南研究院成功研发半导体装备利器（河南半导体项目）

据半导体行业考察报道，日前位于河南郑州的中国长城旗下的郑州轨道交通信息技术钻研院胜利研发了反对于超薄晶圆全切工艺的全主动12寸晶圆激光开槽设施，可反对于5nm DBG工艺。　　据民间介绍，该设施除了拥有通例激光开槽性能之外，还反对于5nm DBG工艺、120微米下列超薄wafer全切割性能、晶圆厂IGBT工艺审察干制程以及TAIKO超薄环切等各种高精端工艺，为国产化半导体产业链再添“利器”。　　据悉，该设施接收的模块化设想，可反对于分比方脉宽(纳秒、皮秒、飞秒)激光器。　　自主研发的光学系统，可实现光斑宽度及长度中断可调，配合超高精度静止管制平台等技术，与激光隐切设施完美联合、相辅相成，解决了激光隐切设施对于外面材质、厚度、晶向、电阻率的限制，真正实现为了工艺的全兼容，对于实用管制产物破坏率、提高芯片良率有着极年夜帮助。　　高端智能设施是国之重器，是创造业的基石，半导体产业在实现中国创造由年夜到强的发展中负担主要任务。　　据介绍，郑州轨交院的研发团队与海内知名高校的知名专家霸占技术困难，获取了国产开槽设施在5nm先进制程以及超薄工艺(解决器等产物)的重年夜突破，在晶圆加工稳固性、激光应用效力、产物切割品质等方面均到达了新的高度。　　现在，芯片设想越来越小，请求设施精度越来越高，该设施的胜利研制不仅标记着中国长城在晶圆激光切割畛域已经领有强年夜的技术研发气力，也将助力封装厂家提拔工艺水平、发展新工艺，助力芯片设想公司设想出更加先进制程的芯片，对于进一步提高我国智能设施创造能力拥有里程碑式的意思。尤其展现：本网内容转载自其余媒体，目标在于通报更多信息，并不代表本网同意其认识。全部或者部分内容、文字的实在性、完好性、实时性本站不作任何保障或者允诺，并请自行核实相干内容。本站不负担此类作品侵权行动的间接义务及连带义务。如若本网有任何内容侵占您的权利，请实时宰割咱们，本站将会在24小时内解决完毕。

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